Твердотельный накопитель SSD M.2 2280 2TB Samsung 990 EVO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, TLC 3D NAND, 7250R/6450W MB/s
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO представляет собой высокопроизводительное устройство хранения данных. Модель выполнена в компактном форм-факторе M.2 2280 и поддерживает интерфейс PCIe 4.0. Объем памяти составляет 2 ТБ, что позволяет хранить огромные библиотеки игр и рабочих проектов. Устройство использует технологию TLC 3D NAND для обеспечения стабильной работы.
Особенности
Накопитель выделяется передовыми характеристиками и поддержкой современных стандартов.
- Скорость чтения данных достигает 7250 МБ/с.
- Скорость записи составляет 6450 МБ/с.
- Интерфейс подключения PCIe 4.0 x4.
- Стандарт связи NVMe 2.0.
- Форм-фактор M.2 2280.
- Тип памяти TLC 3D NAND.
Накопитель подходит для установки в современные настольные компьютеры и ноутбуки. Он обеспечивает быстрый запуск операционной системы и приложений. Работа с тяжелыми графическими файлами проходит без задержек.
Преимущества
Использование данного SSD значительно ускоряет повседневные задачи пользователя.
- Экономия времени при загрузке тяжелых проектов.
- Компактный размер экономит место в корпусе.
- Высокая скорость передачи данных улучшает отзывчивость системы.
- Надежность хранения информации благодаря технологии 3D NAND.
Если у вас возникли вопросы по совместимости или подбору, пожалуйста, проконсультируйтесь с нашими специалистами перед покупкой.
Доставка и гарантия
- Самовывоз доступен в городе Москва.
- Доставка транспортными компаниями по всей России с надёжной упаковкой и отслеживанием.
Официальная гарантия на товар предоставляется производителем.
Закажите Samsung 990 EVO сегодня — получите максимальную скорость работы вашего компьютера.
- Объем 2 ТБ
- Серия 990
- Цвет Черный
- Гарантия 1 год
- Тип оборудования SSD диск
- Форм-фактор M.2 2280
- Назначение для ноутбука, для ПК
- Ширина, мм 22,15
- Тип памяти 3D NAND TLC
- Цвет товара черный
- Страна производства Китай
- Высота, мм 22.15
- Тип Внутренний твердотельный накопитель
- Вес, г 9
- Разъем M.2
- Вес, кг 0.0500
- Длина, мм 80,15
- Интерфейс PCI-E
- Толщина, мм 2.38
- Пропускная способность интерфейса 64 Гбит/с
- Скорость чтения Мб/с 7250
- Потребляемая мощность 4.3 Вт
- Потребление энергии Вт 4.3
- Вес в упаковке, г 120
- Вид накопителя Стационарный
- Температура эксплуатации 0...+70C
- Объем ГБ 2000
- Интерфейс SSD PCI-Express 4.0
- Формат накопителя M.2
- Пропускная способность интерфейса Гбит/с 8
- Скорость записи Мб/с 6400
- Поддержка TRIM Есть
- Background Garbage Collection Да
- IOmeter, скорость записи 4Кб файлов, глубина очереди=32 850000
- Тип чипов 3D NAND
- Контроллер Samsung
- MTBF, млн. часов 1.5
- Страна-изготовитель Китай
- Версия PCI-E PCIe 4.0 x4
- Тип интерфейса NAND Flash памяти 3D NAND
- Версия интерфейса 4.0
- Ресурс SSD, TBW 600
- Максимальные перегрузки 1500G длительностью 0.5 мс
- Ширина упаковки, мм 100
- Высота упаковки, мм 22
- Длина упаковки, мм 145
- Тип разъема M.2 2280 M
- Форм-фактор M.2 2280
- Тип PCI-E PCI-E 4.0 x4
- Объем буфера 2000 МБ
- ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ2 Для сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса
- Срок службы, лет 1
- Протокол NVMe 2.0
- Ударостойкость 1500G/0.5мс
- Серия продукции 990 EVO
- Форм-фактор накопителя M.2 2280
- Максимальная скорость чтения, МБ/с 7250
- Максимальная скорость чтения 7250 МБ/с
- Номинальный объем, ГБ 2000
- Максимальная скорость записи, МБ/с 6450
- Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS 850
- Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS 1200
- Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час. 1500
- Энергопотребление при работе, max, Вт 4.3
- Поддержка NVMe Да
- Версия NVMe 2.0
- Длина товара 80.15 мм
- Ширина товара 22.15 мм
- Вариант поставки без радиатора
- Толщина товара 2.38 мм
- Рабочая температура, максимальная +70 °С
- Тип жесткого диска SSD
- Время наработки на отказ 1500000 ч
- Мощность в режиме ожидания 0.055 Вт
- Ударостойкость при работе 1500 G
- Ударостойкость при хранении 1500 G
- Вес устройства 9 грамм
- Максимальная скорость записи 6450 МБ/с
- Ресурс TBW 800 ТБ
- Структура памяти NAND 3D
- Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 850000
- Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS) 1200000
- DRAM буфер ДА
- Тип памяти NAND MLC
- Ключ M.2 разъема M
- Объем DRAM буфера 2048 МБ
- объём, м^3 0.0003
- Поддержка S.M.A.R.T ДА
- Аппаратное шифрование ДА
- Стандарт шифрования AES-256, IEEE 1667, TCG Opal
- Вес с упаковкой 0,122 кг
- Габариты упаковки 1450 × 950 × 230 см
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.