Patriot DDR4 SODIMM 8Gb 2666MHz PSD48G266681S RTL PC3-21300 CL19 260-pin 1.2В single rank
Модуль оперативной памяти Patriot DDR4 SODIMM 8 ГБ 2666 МГц (артикул PSD48G266681S) разработан для современных ноутбуков и ультрабуков. Одноранговая компоновка и 260-контактный разъём соответствуют требованиям большинства производителей. Рабочее напряжение 1,2 В обеспечивает энергоэффективность. Частота 2666 МГц с таймингом CL19 гарантирует стабильную передачу данных.
Особенности
Модуль сочетает высокую производительность с надёжной работой в различных условиях.
- Объём памяти: 8 ГБ
- Частота: 2666 МГц
- Тайминг: CL19 (RAS to CAS 19, Row Precharge 19, Activate to Precharge 43)
- Пропускная способность: 21300 МБ/с
- Тип памяти: DDR4, двусторонняя компоновка, один ранг
- Рабочее напряжение: 1,2 В, 260-контактный разъём
- Температурный диапазон: до 85 °C (нормальный), до 95 °C (расширенный)
Модуль подходит для офисных задач, веб-серфинга и лёгких графических приложений. Двусторонняя компоновка чипов обеспечивает равномерное распределение нагрузки. Одноранговая структура упрощает совместимость с материнскими платами.
Преимущества
Характеристики модуля обеспечивают реальную выгоду для пользователей.
- Частота 2666 МГц ускоряет загрузку приложений и переключение между задачами
- Напряжение 1,2 В снижает энергопотребление ноутбука
- Температура до 95 °C расширяет диапазон рабочих условий
- Одноранговая компоновка улучшает стабильность системы
Если остались вопросы по совместимости модуля с вашим устройством — проконсультируйтесь с нашими специалистами перед покупкой.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из пунктов выдачи
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления
Официальная гарантия на товар.
Закажите Patriot DDR4 SODIMM 8 ГБ 2666 МГц сегодня — получите стабильную производительность для вашей работы.
- Объем памяти 8 ГБ
- Серия Signature
- Цвет Черный
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz 2666
- Тип памяти DDR DDR4
- Тип памяти SO-DIMM
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Пропускная способность МБ/с 21300
- Количество контактов 260
- CAS Latency CL 19
- Напряжение В 1.2
- Тип поставки RTL
- Количество товара в УЕИ 1
- Количество в упаковке 1
- Линейка Signature
- Компоновка чипов на модуле Двусторонняя
- Количество рангов 1
- RAS to CAS Delay tRCD 19
- Row Precharge Delay tRP 19
- Activate to Precharge Delay tRAS 43
- Нормальная операционная температура Tcase 85 °C
- Расширенная операционная температура Tcase 95
- Пропускная способность 21300 МБ/с
- Количество рангов (Ranks) single rank
- Тактовая частота 2666 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 2666МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ
- Объем одного модуля 8 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC4-21300
- Напряжение (тест) 1.2В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 19
- Row Precharge Delay (tRP) 19
- Латентность (CAS) CL19
- Задержка (тест) 19-19-19-43
- Вес с упаковкой 0,04 кг
- Габариты упаковки 43 × 29 × 40 см
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.