Память DDR4 8Gb 3200MHz Netac NTBSD4N32SP-08 Basic RTL PC4-25600 CL22 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Память DDR4 8 ГБ 3200 MHz Netac NTBSD4N32SP-08 — надёжный модуль для ноутбуков и мини‑ПК. Объём 8 ГБ позволяет комфортно работать с несколькими приложениями одновременно. Частота 3200 MHz ускоряет обработку данных, а напряжение 1.2 В снижает энергопотребление. Форм-фактор SO‑DIMM 260‑pin легко вписывается в узкие системы.
Особенности
Модуль сочетает в себе ключевые параметры, важные для производительности.
- Объём памяти — 8 ГБ
- Тип — DDR4
- Частота — 3200 MHz
- Напряжение — 1.2 В
- Разъём — 260‑pin SO‑DIMM
- Конфигурация — single rank
- Задержка — CL22
Подойдёт для обновления ноутбуков, ультрабуков и мини‑компьютеров, где требуется увеличение оперативной памяти без изменения энергопотребления. Увеличит отклик системы и позволит работать с более тяжёлыми задачами.
Преимущества
Эти технические характеристики дают реальные выгоды.
- Высокая частота — ускоряет запуск программ и обработку данных.
- Низкое напряжение — экономия электроэнергии и снижение тепловыделения.
- Компактный 260‑pin форм‑фактор — совместим с узкими ноутбуками и мини‑ПК.
- Single rank — повышает стабильность работы под нагрузкой.
Если остались вопросы по совместимости или установке, проконсультируйтесь с нашими специалистами — они помогут подобрать оптимальное решение.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из нашего склада.
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления.
Закажите память Netac сейчас — ускорьте работу вашего ноутбука благодаря 3200 MHz и экономии энергии, получив её уже сегодня.
- Объем памяти 8 ГБ
- Серия BASIC
- Тип оборудования Оперативная память
- Тип памяти DDR4
- Количество контактов 260-pin
- Тип поставки Ret
- Количество в упаковке 1
- Пропускная способность 25600 МБ/с
- Количество рангов (Ranks) single rank
- Тактовая частота 3200 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 3200МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ
- Объем одного модуля 8 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC4-25600
- Напряжение (тест) 1.2В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 22
- Row Precharge Delay (tRP) 22
- Латентность (CAS) CL22
- Задержка (тест) 22-22-22-52
- Количество чипов 8
- Вес с упаковкой 0,03 кг
- Габариты упаковки 46 × 39 × 21 см
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.