Память DDR4 8Gb 2666MHz Netac NTBSD4N26SP-08 Basic RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Оперативная память Netac NTBSD4N26SP-08 — модуль SO-DIMM для ноутбуков и компактных систем. Объем 8 ГБ на частоте 2666 МГц обеспечивает быстрый обмен данными. Стандарт PC4-21300 с таймингами CL19 оптимален для повседневных задач.
Особенности
Технические параметры соответствуют современным требованиям:
- Объем памяти 8 ГБ для комфортной многозадачности
- Частота 2666 МГц для быстрой обработки информации
- Формат SO-DIMM 260-pin для мобильных устройств
- Напряжение 1.2В для экономии энергии
- Тип single rank для стабильной работы
Модуль предназначен для установки в ноутбуки, мини-ПК и компактные рабочие станции. Совместим с материнскими платами, поддерживающими стандарт DDR4.
Преимущества
Практическая польза для пользователей:
- Экономия энергии — низкое напряжение 1.2В снижает нагрев и расход батареи
- Надежность — модуль single rank обеспечивает стабильность системы
- Универсальность — формат SO-DIMM подходит для большинства мобильных устройств
Если остались вопросы по совместимости с вашим устройством — проконсультируйтесь с нашими специалистами перед покупкой.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из магазина
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления
Закажите память Netac сегодня — получите быструю работу системы и надёжную производительность.
- Объем памяти 8 ГБ
- Серия BASIC
- Цвет Черный
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz 2666
- Тип памяти DDR DDR4
- Тип памяти SO-DIMM
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Пропускная способность МБ/с 21300
- Количество контактов 260
- CAS Latency CL 19
- Напряжение В 1.2
- Тип поставки RTL
- Количество товара в УЕИ 1
- Количество в упаковке 1
- Название серии Basic
- Потребление энергии 3 Вт
- Тайминги 19-19-19-43
- RAS to CAS Delay tRCD 19
- Row Precharge Delay tRP 19
- Activate to Precharge Delay tRAS 43
- Нормальная операционная температура Tcase 85 °C
- Расширенная операционная температура Tcase 95
- Пропускная способность 21300 МБ/с
- Количество рангов (Ranks) single rank
- Тактовая частота 2666 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 2666МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ
- Объем одного модуля 8 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC4-21300
- Напряжение (тест) 1.2В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 19
- Row Precharge Delay (tRP) 19
- Латентность (CAS) CL19
- Задержка (тест) 19-19-19-43
- Количество чипов 8
- Вес с упаковкой 0,04 кг
- Габариты упаковки 17,2 × 5,8 × 1 см
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.