Память DDR4 8Gb 2666MHz AMD R748G2606S2S-U Radeon R7 Performance Series RTL PC4-21300 CL16 SO-DIMM 260-pin 1.2В Ret
SO-DIMM модуль оперативной памяти DDR4 производства AMD из линейки R7 Performance Series. Модель R748G2606S2S-U обеспечивает объём 8 ГБ на частоте 2666 МГц с таймингами CL16. Форм-фактор 260-контактный, рабочее напряжение 1.2 В соответствует стандарту PC4-21300. Компактный размер позволяет устанавливать в ноутбуки и мини-ПК.
Особенности
Модуль разработан для современных мобильных систем с учётом энергоэффективности и производительности.
- Объём памяти 8 ГБ для комфортной многозадачности
- Частота 2666 МГц обеспечивает быстрый обмен данными
- Тайминги CL16 определяют задержки доступа
- Форм-фактор 260-pin для ноутбуков и компактных ПК
- Напряжение 1.2 В снижает энергопотребление
Модуль подходит для апгрейда систем, где требуется увеличение объёма оперативной памяти. Совместим с материнскими платами, поддерживающими стандарт DDR4 на указанной частоте.
Преимущества
Использование модуля позволяет повысить отзывчивость системы при работе с ресурсоёмкими приложениями.
- Ускорение загрузки приложений благодаря частоте 2666 МГц
- Экономия электроэнергии за счёт напряжения 1.2 В
- Стабильность работы при длительных нагрузках
Перед покупкой проконсультируйтесь с нашими специалистами, если остались вопросы по совместимости модуля с вашей системой.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из магазина
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления
Официальная гарантия производителя.
Закажите модуль памяти сегодня — получите стабильную производительность для вашей системы.
- Объем памяти 8 ГБ
- Серия Radeon R7 Performance Series
- Цвет Черный
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz 2666
- Тип памяти DDR DDR4
- Тип памяти DDR4
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Пропускная способность МБ/с 21300
- Количество контактов 260-pin
- CAS Latency CL 16
- Напряжение В 1.2
- Тип поставки Ret
- Количество товара в УЕИ 1
- Количество в упаковке 1
- Линейка Radeon R7 Performance
- RAS to CAS Delay tRCD 18
- Row Precharge Delay tRP 18
- Activate to Precharge Delay tRAS 35
- Пропускная способность 21300 МБ/с
- Тактовая частота 2666 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 2666МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ
- Объем одного модуля 8 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC4-21300
- Напряжение (тест) 1.2В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 18
- Row Precharge Delay (tRP) 18
- Латентность (CAS) CL16
- Задержка (тест) 16-18-18-35
- Вес с упаковкой 0,02 кг
- Габариты упаковки 27,7 × 23,2 × 4,4 см
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
AMD DDR4 DIMM 16GB R9416G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.