Память DDR4 4Gb 2666MHz Patriot PSD44G266681S Signature RTL PC4-21300 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В single rank Ret
Patriot PSD44G266681S – модуль памяти DDR4 объёмом 4 ГБ, рассчитанный на частоту 2666 МГц. Он выполнен в форм-факторе SO‑DIMM с 260‑контактным разъёмом, что делает его идеальным решением для тонких ноутбуков и небольших настольных систем. Низкое напряжение 1,2 В снижает тепловыделение и продлевает срок службы устройства.
Особенности
Эта модель сочетает в себе несколько ключевых параметров, важных для мобильных и компактных компьютеров.
- Объём памяти — 4 ГБ DDR4
- Частота — 2666 МГц
- Тайминг — CL19
- Напряжение — 1,2 В
- Форм‑фактор — SO‑DIMM 260‑pin
- Одноранговый (single rank) модуль
Модуль предназначен для установки в ноутбуки, ультрабуки и небольшие настольные системы, где важны экономия места и энергоэффективность. Повышенная частота и низкое напряжение позволяют ускорить загрузку приложений и обеспечить более отзывчивую работу ОС.
Преимущества
Выбирая эту память, вы получаете реальные выгоды в эксплуатации.
- Энергоэффективность — 1,2 В минимизируют расход батареи, продлевая время работы без подзарядки.
- Компактный размер — SO‑DIMM легко помещается в тонкие ноутбуки и мини‑ПК.
- Повышенная скорость — 2666 МГц ускоряют обмен данными, улучшая отклик системы.
- Надёжность бренда Patriot — проверенная репутация гарантирует длительный срок службы.
Если остались вопросы по совместимости или установке, наши специалисты помогут подобрать оптимальное решение и дадут рекомендации.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из нашего склада.
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления.
Закажите память Patriot PSD44G266681S сегодня — ускорьте работу ноутбука на 2666 МГц и экономьте энергию.
- Объем памяти 4 ГБ
- Серия Signature
- Цвет Черный
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz 2666
- Тип памяти DDR DDR4
- Тип памяти DDR4
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Пропускная способность МБ/с 21300
- Количество контактов 260-pin
- CAS Latency CL 19
- Напряжение В 1.2
- Тип поставки Ret
- Количество товара в УЕИ 1
- Количество в упаковке 1
- Количество чипов на модуле 8
- Компоновка чипов на модуле Двусторонняя
- RAS to CAS Delay tRCD 19
- Row Precharge Delay tRP 19
- Нормальная операционная температура Tcase 75 °C
- Пропускная способность 21300 МБ/с
- Количество рангов (Ranks) single rank
- Тактовая частота 2666 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 2666МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 4 ГБ
- Объем одного модуля 4 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC4-21300
- Напряжение (тест) 1.2В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 19
- Row Precharge Delay (tRP) 19
- Латентность (CAS) CL19
- Задержка (тест) 19-19-19-39
- Вес с упаковкой 0,034 кг
- Габариты упаковки 43 × 29 × 39 см
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.