Netac DDR3L SODIMM 4Gb PC12800 1600MHz CL11 1.35V (NTBSD3N16SP-04)
Модуль оперативной памяти Netac DDR3L SODIMM — решение для обновления ноутбуков. Объём 4 ГБ и частота 1600 МГц обеспечивают стабильную работу систем. Низкое напряжение 1.35 В снижает тепловыделение. Модель NTBSD3N16SP-04 поставляется в RTL-упаковке.
Особенности
Ключевые параметры модуля памяти:
- Объем одного модуля: 4 ГБ
- Частота: 1600 МГц
- Тип памяти: DDR3L SODIMM
- Напряжение: 1.35 В
- Пропускная способность: 12800 МБ/с
- CAS Latency CL: 11
- Количество контактов: 204
Модуль подходит для ноутбуков с разъёмом SO-DIMM. Поддерживает тайминги 11-11-11-28. Рабочая температура до 85 °C обеспечивает стабильность при нагрузке.
Преимущества
Выгоды использования модуля Netac:
- Экономия энергии — низкое напряжение 1.35 В снижает потребление до 3 Вт
- Надёжность — расширенная рабочая температура до 95 °C
- Совместимость — стандарт SO-DIMM для большинства ноутбуков
Перед покупкой проконсультируйтесь с нашими специалистами, если остались вопросы по совместимости.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления
- Официальная гарантия от производителя
Закажите модуль памяти сегодня — получите стабильную работу вашего ноутбука.
- Объем памяти 4 ГБ
- Серия BASIC
- Цвет Черный
- Гарантия 3 года
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz 1600
- Тип памяти DDR DDR3
- Тип памяти SO-DIMM
- Объем одного модуля ГБ 4
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Общий объем памяти ГБ 4
- Пропускная способность МБ/с 12800
- Количество контактов 204
- CAS Latency CL 11
- Напряжение В 1.35
- Тип поставки RTL
- Количество товара в УЕИ 1
- Количество в упаковке 1
- Вес, кг 0.1000
- Потребление энергии 3 Вт
- Тайминги 11-11-11-28
- Количество рангов 1
- RAS to CAS Delay tRCD 11
- Row Precharge Delay tRP 11
- Activate to Precharge Delay tRAS 28
- Нормальная операционная температура Tcase 85 °C
- Расширенная операционная температура Tcase 95
- Пропускная способность 12800 МБ/с
- Количество рангов (Ranks) single rank
- Тактовая частота 1600 МГц
- Буферизация unbuffered
- Скорость (тест) 1600МГц
- Суммарный объем памяти всего комплекта 4 ГБ
- Объем одного модуля 4 ГБ
- Обозначение памяти SO-DIMM
- Показатель скорости PC3-12800
- Напряжение (тест) 1.35В
- RAS to CAS Delay (tRCD) 11
- Row Precharge Delay (tRP) 11
- объём, м^3 0.0002
- Латентность (CAS) CL11
- Задержка (тест) 11-11-11-28
- Вес с упаковкой 0,1 кг
- Габариты упаковки 17,5 × 1 × 5,5 см
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Память DDR3 4GB 1333MHz AMD R334G1339U1S-U R3 Value RTL PC3-10600 CL9 DIMM UDIMM 240-pin 1.5В Ret
Память DDR3 4GB 1600MHz Digma DGMAD31600004S RTL PC3-12800 CL11 DIMM UDIMM 240-pin 1.35В single rank Ret
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.