Модуль памяти AMD Radeon™ R7 Performance Series Black R744G2606U1S-U 4GB DDR4 2666 DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, RTL (181777)
Модуль оперативной памяти AMD Radeon R7 Performance Series предназначен для повышения производительности настольных компьютеров. Модель R744G2606U1S-U выполнена по стандарту DDR4 и работает на эффективной частоте 2666 МГц. Обеспечивает высокую пропускную способность до 21300 Мб/с, что важно для современных задач.
Особенности
Комплектация включает один модуль объемом 4 ГБ с напряжением питания 1.2 В.
- Форм-фактор DIMM с 288 контактами для надежного соединения.
- Тип памяти Unbuffered, подходящий для стандартных ПК.
- Каскадная задержка (CL) 16 обеспечивает быстрый отклик системы.
- Рабочая температура до 85°C, расширенная — до 95°C.
- Габариты модуля: 133.35 мм в ширину и 31.25 мм в высоту.
Данное решение оптимально для апгрейда рабочих станций и игровых компьютеров. Высокая частота обмена данными снижает задержки при загрузке приложений и обработке файлов. Совместимость с современными материнскими платами гарантирует стабильную работу без сбоев.
Преимущества
Серия Performance ориентирована на пользователей, ценящих скорость отклика системы.
- Экономия времени за счет высокой пропускной способности памяти.
- Надежность работы в условиях повышенной нагрузки благодаря термостойкости.
- Удобство установки благодаря стандартному форм-фактору DIMM.
- Энергоэффективность благодаря низкому напряжению 1.2 В.
Перед покупкой рекомендуем проконсультироваться с нашими специалистами, чтобы убедиться в совместимости модуля с вашей материнской платой.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в городе из наличия магазина.
- Доставка транспортными компаниями по России с надежной упаковкой и отслеживанием отправления.
Официальная гарантия на товар.
Закажите модуль памяти сегодня — получите стабильную производительность для ваших задач.
- Объем памяти 4 ГБ
- Серия Radeon R7 Performance
- Ширина, мм 133.35
- Тип памяти Unbuffered
- Количество контактов 288
- Высота, мм 31.25
- Тип Модуль памяти
- Вид поставки RTL
- Напряжение питания, В 1.2
- Эффективная частота, МГц 2666
- Стандарт памяти DDR4
- Объем одного модуля, ГБ 4
- Количество модулей в комплекте, шт 1
- Суммарный объем, ГБ 4
- Пропускная способность, Мб/с 21300
- Количество чипов на модуле, шт 8
- CAS Latency (CL) 16
- RAS to CAS Delay (tRCD) 18
- Row Precharge Delay (tRP) 18
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 38
- Нормальная операционная температура, °C 85
- Расширенная операционная температура, °C 95
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.