Модуль памяти AMD Radeon R7 Performance Series Black R744G2606S1S-U 4GB DDR4 2666 SO DIMM Non-ECC, CL16, 1.2V, RTL (182347)125
Это модуль оперативной памяти серии AMD Radeon R7 Performance. Объем составляет 4 ГБ, а стандарт — DDR4. Частота работы равна 2666 МГц. Форм-фактор SODIMM предназначен для установки в ноутбуки. Устройство работает при напряжении 1.2 В.
Особенности
Комплект включает один модуль и документацию. Характеристики обеспечивают высокую пропускную способность.
- Объем памяти: 4 ГБ
- Тип памяти: DDR4
- Эффективная частота: 2666 МГц
- Пропускная способность: 21300 Мб/с
- Количество контактов: 260
- Напряжение питания: 1.2 В
Модуль предназначен для расширения оперативной памяти ноутбуков на базе процессоров AMD. Он позволяет ускорить загрузку приложений и многозадачность. Подходит для систем, где требуется замена вышедшего из строя компонента.
Преимущества
Использование этой памяти повышает отзывчивость системы. Вы получаете стабильную производительность в повседневных задачах.
- Быстрая работа интерфейсов благодаря частоте 2666 МГц
- Совместимость с большинством ноутбуков благодаря форм-фактору SODIMM
- Энергоэффективность за счет напряжения 1.2 В
Перед покупкой рекомендуем проконсультироваться с нашими специалистами, если остались вопросы по товару. Мы поможем подобрать совместимое решение.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве и доставка транспортными компаниями по России.
- Надёжная упаковка и отслеживание отправления.
Официальная гарантия предоставляется на изделие.
Закажите модуль сегодня — получите быстрый апгрейд для вашего ноутбука.
- Объем памяти 4 ГБ
- Серия Radeon R7 Performance
- Ширина, мм 69.6
- Тип памяти Unbuffered
- Количество контактов 260
- Высота, мм 30
- Тип Модуль памяти
- Вид поставки RTL
- Напряжение питания, В 1.2
- Эффективная частота, МГц 2666
- Стандарт памяти DDR4
- Объем одного модуля, ГБ 4
- Количество модулей в комплекте, шт 1
- Суммарный объем, ГБ 4
- Пропускная способность, Мб/с 21300
- Количество чипов на модуле, шт 8
- CAS Latency (CL) 16
- RAS to CAS Delay (tRCD) 16
- Row Precharge Delay (tRP) 16
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 38
- Нормальная операционная температура, °C 85
- Расширенная операционная температура, °C 95
- Количество ранков 1
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.