Модуль памяти AMD Radeon 4GB DDR3 1333 DIMM R3 Value Series Black R334G1339U1S-UO Non-ECC, CL9, 1.5V, Bulk R334G1339U1S-UO (180022)
AMD Radeon R3 Value Series — это 4 ГБ модуль памяти DDR3, работающий на частоте 1333 МГц, с низкой задержкой CL9 и без поддержки ECC. Поставляется в OEM‑упаковке, черного цвета, что удобно для установки в любой корпус настольного компьютера.
Особенности
Модуль сочетает в себе высокую производительность и компактный дизайн.
- Объём памяти — 4 ГБ
- Эффективная частота — 1333 МГц
- CAS‑latency — CL9
- Напряжение питания — 1,5 В
- Пропускная способность — 10600 МБ/с
- Форм‑фактор — DIMM, 240‑контактный, размеры 133,35 × 30 мм
- Количество чипов — 8
Модуль предназначен для настольных ПК: он расширит объём оперативной памяти, ускорит загрузку операционной системы и приложений, а также улучшит отзывчивость при работе с несколькими задачами одновременно.
Преимущества
Эти характеристики дают реальную экономию и удобство эксплуатации.
- Низкое энергопотребление — 1,5 В позволяют снизить нагрузку на блок питания.
- Высокая пропускная способность — 10600 МБ/с ускоряет обмен данными между процессором и памятью.
- Низкая задержка — CL9 обеспечивает более плавную работу приложений.
- Компактный DIMM‑форм-фактор упрощает установку без лишних усилий.
Если остались вопросы по совместимости или установке, проконсультируйтесь с нашими специалистами – они подскажут оптимальное решение.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в городе из нашего склада.
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления.
Закажите модуль памяти сегодня — получите мгновенный прирост производительности благодаря 10600 МБ/с пропускной способности.
- Объем памяти 4 ГБ
- Серия Radeon R3 Value
- Назначение для ПК
- Ширина, мм 133.35
- Тип памяти Unbuffered
- Количество контактов 240
- Высота, мм 30
- Тип Модуль памяти
- Вид поставки OEM
- Напряжение питания, В 1.5
- Эффективная частота, МГц 1333
- Стандарт памяти DDR3
- Объем одного модуля, ГБ 4
- Количество модулей в комплекте, шт 1
- Суммарный объем, ГБ 4
- Пропускная способность, Мб/с 10600
- Количество чипов на модуле, шт 8
- CAS Latency (CL) 9
- RAS to CAS Delay (tRCD) 9
- Row Precharge Delay (tRP) 9
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 24
- Нормальная операционная температура, °C 85
- Расширенная операционная температура, °C 95
Модуль памяти 16GB Kingston DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL OEM
Модуль памяти Samsung 64GB DDR5 M321R8GA0EB2-CWM PULL 5600MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC
Память DDR3 4GB 1333MHz AMD R334G1339U1S-U R3 Value RTL PC3-10600 CL9 DIMM UDIMM 240-pin 1.5В Ret
Память DDR3 4GB 1600MHz Digma DGMAD31600004S RTL PC3-12800 CL11 DIMM UDIMM 240-pin 1.35В single rank Ret
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.