Модуль памяти 8GB Samsung DDR4 3200 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL22, 1.2V, 1Rx16, Bulk

Бренд: Samsung
Артикул: M471A1G44CB0-CWE
Код товара: 157520 Нашли ошибку?
Рейтинг:
Наличие:
На региональном складе
7 750 руб

Курьером по Москве и области

Самовывоз

ТК по России и СНГ

Наличными при получении

Безналичный перевод

Модуль памяти Samsung DDR4 3200 МГц объемом 8 ГБ предназначен для ноутбуков. Эффективная частота 3200 МГц обеспечивает высокую пропускную способность 25600 Мб/с. Стандарт SO DIMM с 260 контактами совместим с большинством современных ноутбуков. Напряжение питания 1.2 В снижает энергопотребление системы.

Особенности

Ключевые параметры модуля:

  • Объем памяти: 8 ГБ
  • Эффективная частота: 3200 МГц
  • Количество контактов: 260
  • Напряжение питания: 1.2 В
  • Стандарт: DDR4
  • Каскадная задержка (CL): 22
  • Вид поставки: OEM

Модуль подходит для апгрейда производительности ноутбуков. Высокая частота 3200 МГц ускоряет загрузку приложений и обработку данных. Низкое напряжение 1.2 В уменьшает нагрев системы.

Преимущества

Практические выгоды использования:

  • Высокая скорость передачи данных — частота 3200 МГц ускоряет работу
  • Низкое энергопотребление — напряжение 1.2 В экономит заряд батареи
  • Надежность Samsung — оригинальный чип с гарантией качества
  • Универсальность — стандарт SO DIMM для большинства ноутбуков

Перед покупкой рекомендуем проконсультироваться с нашими специалистами, если остались вопросы по совместимости модуля.

Доставка и гарантия

  • Самовывоз в Москве из магазина Кибернет
  • Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления

Официальная гарантия производителя.

Закажите модуль памяти Samsung DDR4 3200 сегодня — получите высокую скорость работы вашего ноутбука.

  • Объем памяти 8 ГБ
  • Тип памяти Unbuffered
  • Количество контактов 260
  • Тип Модуль памяти
  • Вид поставки OEM
  • Напряжение питания, В 1.2
  • Эффективная частота, МГц 3200
  • Стандарт памяти DDR4
  • Объем одного модуля, ГБ 8
  • Количество модулей в комплекте, шт 1
  • Суммарный объем, ГБ 8
  • Пропускная способность, Мб/с 25600
  • Количество чипов на модуле, шт 4
  • CAS Latency (CL) 22
  • RAS to CAS Delay (tRCD) 22
  • Row Precharge Delay (tRP) 22
  • Количество ранков 1
  • Разрядность чипов x16
Комплектация и габариты
Комплектация
Модуль памяти
Пока нет комментариев
Написать комментарий
Имя*
Email
Введите комментарий*
Неверно введена капча
Популярное в разделе: Память
Похожие товары
Ещё от бренда: Samsung