Модуль памяти 32GB Samsung DDR4 M393A4K40EB3-CWE PULL 3200MHz 2Rx4 DIMM Registred ECC
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3‑CWE – 32 ГБ DDR4, рассчитан на серверные платформы. Частота 3200 MHz и поддержка Registered ECC гарантируют стабильную работу под нагрузкой. Пропускная способность достигает 25600 МБ/с, а двухранковая конфигурация 2Rx4 оптимизирует плотность размещения. Надёжное напряжение 1.2 В и 36 чипов x4 завершают техническую картину.
Особенности
Ключевые параметры, определяющие производительность:
- Объём памяти – 32 ГБ
- Эффективная частота – 3200 MHz
- Тип – Registered ECC
- Пропускная способность – 25600 МБ/с
- Конфигурация – 2 ранка 2Rx4, 36 чипов x4
- CAS‑latency – 22
- Напряжение питания – 1.2 В
Модуль предназначен для серверов, где важна целостность данных и высокая скорость обмена. Он отлично подходит для виртуализации, работы с базами данных, аналитических и вычислительных задач, где каждый мегабайт и каждый мегагерц имеют значение.
Преимущества
Эти характеристики превращаются в реальные выгоды для вашего бизнеса:
- Экономия места – 32 ГБ в одном модуле позволяют сократить количество слотов.
- Повышенная надёжность – ECC автоматически исправляет одиночные ошибки, уменьшая риск сбоев.
- Высокая пропускная способность – 25600 МБ/с ускоряет обработку больших объёмов данных.
- Низкая задержка – CL22 обеспечивает быстрый отклик при интенсивных запросах.
- Энергоэффективность – потребление 1.2 В снижает нагрузку на блок питания.
Если остались вопросы о совместимости или выборе, проконсультируйтесь с нашими специалистами – они помогут подобрать оптимальное решение.
Доставка и гарантия
- Самовывоз в Москве из нашего склада.
- Доставка транспортными компаниями по России, надёжная упаковка и отслеживание отправления.
Закажите модуль памяти Samsung сейчас – получите серверную производительность с 25600 МБ/с пропускной способностью уже сегодня.
- Объем памяти 32 ГБ
- Серия M393
- Ширина, мм 133.35
- Тип памяти Registred
- Количество контактов 288
- Высота, мм 31.25
- Тип Модуль памяти
- Вид поставки OEM (PULL)
- Напряжение питания, В 1.2
- Поддержка ECC да
- Эффективная частота, МГц 3200
- Стандарт памяти DDR4
- Объем одного модуля, ГБ 32
- Количество модулей в комплекте, шт 1
- Суммарный объем, ГБ 32
- Пропускная способность, Мб/с 25600
- Количество чипов на модуле, шт 36
- CAS Latency (CL) 22
- RAS to CAS Delay (tRCD) 22
- Row Precharge Delay (tRP) 22
- Количество ранков 2
- Разрядность чипов x4
Мы проверим карточку и поправим неточность. Если оставили контакты — пришлём скидку.